logo
Opto-Edu (Beijing) Co., Ltd. 0086-13911110627 sale@optoedu.com
OPTO-EDU A63.7010 EBL Electron Beam Lithography Machine

OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów

  • Podkreślić

    EBL litografia elektronowa

    ,

    mikroskop skaningowy do litografii elektronowej

    ,

    maszyna litograficzna OPTO-EDU A63.7010

  • Standardowy sprzęt
    Etap interferometru laserowego
  • Podróż sceniczna
    ≤105 mm
  • Rozdzielczość obrazu
    ≤1 nm przy 15 kV; ≤1,5 nm przy 1 kV
  • Gęstość prądu wiązki
    >5300 A/cm2
  • Minimalny rozmiar plamki wiązki
    ≤2 nm
  • Przesłona wiązki elektronów
    Czas narastania < 100 ns
  • Miejsce pochodzenia
    Chiny
  • Nazwa handlowa
    CNOEC, OPTO-EDU
  • Orzecznictwo
    CE,
  • Numer modelu
    A63.7010
  • Dokument
  • Minimalne zamówienie
    1 szt
  • Cena
    FOB $1~1000, Depend on Order Quantity
  • Szczegóły pakowania
    Opakowanie kartonowe, do transportu eksportowego
  • Czas dostawy
    180 dni
  • Zasady płatności
    T/T, West Union, PayPal
  • Możliwość Supply
    5000 szt./miesiąc

OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów

OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 0
 
OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 1
Specyfikacje etapu
Standardowe wyposażenie Etap interferometru laserowego
Podróże sceniczne 105 mm
Specyfikacje broni elektronicznej i obrazowania
Strzelba z emisją Schottky Field Włókno przyspieszenia 2OV ~ 30kVW drugorzędny elektronowy detektor boczny i
Detektor elektronów wewnątrz soczewki
Rozdzielczość obrazu 1nm@15kV;1.5nm@1kV
Gęstość prądu wiązki > 5300 A/cm2
Minimalny rozmiar plamy wiązki 2 nm
Litografia Specyfikacje
Ostrzelek wiązki elektronicznej Czas wzrostu < 100 ns
Obszar pisania 500x500 um
Minimalna szerokość linii pojedynczej ekspozycji 10 ± 2 nm
Prędkość skanowania 25 MHz/50 MHz
Parametry generatora grafiki
Rdzeń sterowania Wysokiej wydajności FPGA
Maksymalna prędkość skanowania 50 MHz
Decyzja D/A 20-bitowe
Wspierane rozmiary pól do pisania 10 mm ~ 500 mm
Wsparcie okładki wiązki 5VTTL
Minimalne zwiększenie czasu pobytu 10n
Wspierane formaty plików GDSIl, DXF, BMP itp.
Pomiar prądu wiązki kubka Faradaya Wliczone
Korekta efektu bliskości Opcjonalnie
Etap interferometru laserowego Opcjonalnie
Tryby skanowania Tryby sekwencyjne (typ Z), serpentynowe (typ S), spiralne i inne tryby skanowania wektorowego
Tryby ekspozycji Wspiera kalibrację pola, szycie pola, nakładanie i wielowarstwowe automatyczne ekspozycje
Wsparcie zewnętrzne obsługuje skanowanie wiązki elektronów, ruch sceniczny, kontrolę migawki wiązki oraz wtórne wykrywanie elektronów
 
OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 2
OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 3

Etap interferometru laserowego

Etap interferometru laserowego: zaawansowany etap interferometru laserowego, który spełnia wymagania dotyczące szwów i nakładów dużych i precyzyjnych

Broń do emisji w polu

Wysokiej rozdzielczości pistolet emitujący pole jest ważną gwarancją jakości litografii

OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 4
OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 5

Generator grafiki

/Osiąga ultra-wysoka rozdzielczośćrysowanie wzorów przy jednoczesnym zapewnieniu ultraprędkości skanowania


A63.7010 VS Raith 150 Dwa
Model urządzenia OPTO-EDU A63.7010 (Chiny) Raith 150 Dwa (Niemcy)
napięcie przyspieszenia (kV) 30 30
Min. Średnica punktu wiązki (nm) 2 1.6
Wielkość sceny (calo) 4 4
Minimalna szerokość linii (nm) 10 8
Dokładność szycia (nm) 50 ((35nm) 35
Dokładność nakładki (nm) 50 ((35nm) 35
OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 6
 
OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 7
 
OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 8
 
OPTO-EDU A63.7010 EBL Maszyna do litografii wiązką elektronów 9