OPTO-EDU A63.7190 300000x Mikroskop elektroniczny skanujący wymiary krytyczne
-
Rozmiar waflaA63.7190-68: 6/8 cala
-
Rozstrzygnięcie2.5nm (Acc=800V)
-
Napięcia przyspieszające0,5-1,6KV
-
PowtarzalnośćStatyczny i dynamiczny ± 1% lub 3 nm (3 sigma)
-
Prąd wiązki sondy3 ~ 30PA
-
SkalaFOV 0,1 ~ 2,0 μm
-
Miejsce pochodzeniaChiny
-
Nazwa handlowaCNOEC, OPTO-EDU
-
OrzecznictwoCE, Rohs
-
Numer modeluA63.7190
-
Dokument
-
Minimalne zamówienie1 proc.
-
CenaFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
-
Szczegóły pakowaniaOpakowanie kartonowe, do transportu eksportowego
-
Czas dostawy5 ~ 20 dni
-
Zasady płatnościT/T, West Union, Paypal
-
Możliwość Supply5000 szt./miesiąc
OPTO-EDU A63.7190 300000x Mikroskop elektroniczny skanujący wymiary krytyczne
|
Mikroskop elektronowy skanujący krytyczne wymiary (CD-SEM) to specjalistyczny SEM używany do pomiaru wymiarów drobnych cech na płytkach półprzewodnikowych, fotomaskach i innych materiałach.Pomiary te mają kluczowe znaczenie dla zapewnienia dokładności i precyzji wytwarzanych urządzeń elektronicznych.
/Kompatybilny z płytkami o rozmiarze 6/8 cali, powiększanie 1000x-300000x /Rozdzielczość 2,5 nm (Acc=800V), napięcia przyspieszające 500V-1600V /Powtarzalność Statyczna i Dynamiczna ± 1% lub 3nm ((3 Sigma), Prąd wiązki sondy 3~30pA /Projektowanie systemu przenoszenia płytek o dużej prędkości odpowiedniego do chipów półprzewodnikowych trzeciej generacji /Zaawansowane systemy elektronoptyki i przetwarzania obrazu, w tym chłodnicy, suchej pompy |
|
▶Kluczowe cechy CD-SEM wykorzystują wiązkę elektronów o niskiej energii i mają ulepszoną kalibrację powiększania w celu zapewnienia dokładnych i powtarzalnych pomiarów.i kątów ścian bocznych wzorów. |
|
▶Celem CD-SEM są niezbędne do metrologii w przemyśle półprzewodnikowym, pomagając mierzyć wymiary krytyczne (CD) wzorów tworzonych podczas procesów litografii i etsu.CD odnosi się do najmniejszych rozmiarów cech, które można niezawodnie wyprodukować i zmierzyć na płytce. |
|
▶Wnioski Instrumenty te są stosowane w liniach produkcyjnych urządzeń elektronicznych w celu zapewnienia dokładności wymiarowej różnych warstw i cech składających się na chip.Odgrywają one również kluczową rolę w rozwoju i kontroli procesów., pomaga w identyfikacji i naprawie wszelkich problemów, które mogą wystąpić podczas procesu produkcji.
▶Znaczenie Bez CD-SEM nowoczesna mikroelektronika miałaby trudności z osiągnięciem wysokiego poziomu precyzji i wydajności wymaganych przez przemysł.Są niezbędne do zapewnienia niezawodności i funkcjonalności nowoczesnych urządzeń elektronicznych. |
|
▶Zmiana technologii Wraz z postępem technologii litografii i zmniejszaniem się rozmiarów elementów, urządzenia CD-SEM stale ewoluują, aby sprostać wymaganiom przemysłu.Nowe technologie i postępy w zakresie CD-SEM są opracowywane w celu rozwiązania wyzwań związanych z pomiarami coraz bardziej złożonych wzorców |
| A63.7190 Mikroskop elektroniczny skanujący wymiary krytyczne (CDSEM) | ||
| Wielkość płytki | A63.7190-68- 6/8 cali. | A63.7190-12- 12 cali. |
| Rozstrzygnięcie | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc-800V) |
| Wzrost napięcia | 00,5-1,6KV | 0.3-2.0KV |
| Powtarzalność | Statyczne i dynamiczne ± 1% lub 3 nm ((3 Sigma) | Statyczne i dynamiczne ± 1% lub 0,3 nm ((3 Sigma) |
| Prąd wiązki sondy | 3 ~ 30 pA | 3 ~ 40 pA |
| Zakres pomiarowy | FOV 0,1-2,0 μm | FOV 0,05 ~ 2,0 μm |
| Przejście | > 20 płytek/godzinę, | > 36 płytek/godzinę, |
| 1 punkt na żeton, | 1 punkt na żeton, | |
| 20 frytek/wafelka | 20 frytek/wafelka | |
| Zwiększenie | 1Kx~300Kx | 1Kx-500Kx |
| Dokładność fazy | 00,5 μm | |
| Źródło elektronu | Emitent pola cieplnego Schottky'ego | |
| Porównanie głównych modeli CDSEM na rynku | |||||
| Specyfikacja | Hitachi | Hitachi | Hitachi | Opto-Edu | Opto-Edu |
| S8840 | S9380 | S9380 II | A63.7190-68 | A63.7190-12 | |
| 1. Wielkość płatki | 6/8 cala | 8 cali / 12 cali | 8 cali / 12 cali | 6/8 cala | 12 cali. |
| 2Rezolucja | 5 nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc=800V) |
| 3/ Przyśpieszające napięcie. | 500-1300 V | 300-1600V | 300-1600V | 500-1600 V | 300-2000V |
| 4. Powtarzalność (statyczna i dynamiczna) | ± 1% lub 5 nm ((3 sigma) | ± 1% lub 2 nm ((3 sigma) | ± 1% lub 2 nm ((3 sigma) | ± 1% lub 3 nm ((3 sigma) | ± 1% lub 0,3 nm ((3 sigma) |
| 5. Zakres IP (prąd sondy) | 1-16pA | 3-50 pA | 3-50 pA | 3-30 pA | 3-40pA |
| 6. Rozmiar FOV | - | 50nm-2um | 00,05-2um | 0.1-2um | 00,05-2um |
| 7- Wynik. | 26 płytek/godzinę, | 24 płytki/godzinę, | 24 płytki/godzinę, | > 20 płytek/godzinę, | 36 płytek/godzinę, |
| 1 punkt na żeton, | 1 punkt na żeton, | 1 punkt na żeton, | 1 punkt na żeton, | 1 punkt na żeton, | |
| 5 sztuczek/wafer | 20 sztuczek na płytkę | 20 sztuczek na płytkę | 20 sztuczek na płytkę | 20 sztuczek na płytkę | |
Nasze produkty sprzedawane są na całym świecie. Możesz być spokojny o cały proces naszych produktów.